編輯-Z

(資料圖片僅供參考)

ASEMI高壓MOS管7N65參數(shù)：

型號：7N65

漏極-源極電壓（VDS）：650V

柵源電壓（VGS）：30V

漏極電流（ID）：7A

功耗（PD）：50W

儲存溫度（Tstg）：-55 to 150℃

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：1.35Ω

二極管正向電壓（VSD）：1.4V

輸入電容（Ciss）：1000pF

二極管反向恢復(fù)時間（trr）：293nS

7N65封裝大小：

封裝：TO-220

總長度：28.57mm

本體長度：15.87mm

寬度：10.66mm

高度：5.0mm

腳間距：2.54mm

7N65特征：

低固有電容。

出色的開關(guān)特性。

擴展安全操作區(qū)域。

無與倫比的門電荷：Qg=29nC（典型值）。

BVDSS=650V，ID=7A

RDS（開）:1.35? （最大值）@VG=10V

100%雪崩測試

關(guān)鍵詞：